近半个世纪以来，硅一直是全球技术飞速发展的核心，但是微处理器制造商现在几乎已经穷尽其能了。当前的微处理器制造技术在2005年左右开始达到极限，那时芯片制造商就不得不寻求其他技术将更多的晶体管填入硅，以创造功能更强大的芯片。许多芯片制造商已经考虑采用极紫外光刻（EUVL），因为它至少可以将硅的使用寿命延长到2010年。

圣地亚国家实验室供图 该晶圆是在使用极紫外光刻（EUVL）的原型设备上蚀刻的。

当前用于将越来越多的晶体管填入芯片的工艺称为深度紫外线光刻技术，它是一种类似于摄影的技术，通过透镜聚光而在硅晶圆上蚀刻电路图案。制造商们担心，这种技术可能会很快由于物理学定律的限制而出现问题。

通过使用极超紫外线（EUV）光将晶体管雕刻到硅晶圆中，将制造出比当今最强大的芯片快达100倍的微处理器以及存储容量类似增长的存储器芯片。在本文中，您将会了解到当前用于制造芯片的光刻技术，以及了解极紫外光刻技术如何在2007年左右开始将更多晶体管填入芯片。